IGBT Transistors
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Collector-Emitter Voltage | Collector-Emitter Saturation Voltage | Maximum Gate Emitter Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Power Dispation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWA40HP65FB2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.55 V | 20 V | 72 A | 227 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWA40IH65DF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.5 V | 20 V | 80 A | 238 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWA40M120DF3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 1200 V | 1.85 V | 20 V | 80 A | 468 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWA40S120DF3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 1200 V | 1.65 V | 20 V | 80 A | 468 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWA50IH65DF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.5 V | 20 V | 100 A | 300 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWA50M65DF2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.65 V | 20 V | 80 A | 375 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWA60H65DFB: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 2 V | 20 V | 80 A | 375 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWA75M65DF2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.65 V | 20 V | 120 A | 488 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWA80H65FB: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.6 V | 20 V | 120 A | 469 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWF30NC60S: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 1.5 V | |||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWT20H60DF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 2 V | 20 V | 40 A | 167 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWT20HP65FB: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.55 V | 20 V | 40 A | 168 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWT20IH125DF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 1.25 kV | 2.55 V | 20 V | 40 A | 259 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWT20V60F: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 2.3 V | 20 V | 40 A | 167 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWT28IH125DF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 1.25 kV | 2.65 V | 20 V | 60 A | 375 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWT30H65FB: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.75 V | 20 V | 30 A | 260 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWT30V60DF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 2.35 V | 20 V | 60 A | 258 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWT30V60F: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 2.3 V | 20 V | 60 A | 260 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWT40HP65FB: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.6 V | 30 V | 80 A | 283 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWT40V60DF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 2.35 V | 20 V | 80 A | 283 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWT60H60DLFB: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 1.6 V | 20 V | 80 A | 375 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWT60H65DFB: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.6 V | 20 V | 80 A | 375 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWT60H65FB: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.6 V | 20 V | 80 A | 375 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWT60V60DF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 2.35 V | 20 V | 80 A | 375 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWT80H65DFB: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.6 V | 20 V | 120 A | 469 W |
