IGBT Transistors
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Collector-Emitter Voltage | Collector-Emitter Saturation Voltage | Maximum Gate Emitter Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Power Dispation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW60H65FB: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.6 V | 20 V | 80 A | 375 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW60V60DF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 2.35 V | 20 V | 80 A | 375 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW60V60F: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 2.35 V | 20 V | 80 A | 375 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW75M65DF2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.65 V | 20 V | 120 A | 468 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW80H65DFB: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.6 V | 20 V | 120 A | 469 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW80H65DFB-4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | ||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW80H65FB: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.6 V | 20 V | 120 A | 469 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW80V60DF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 1.85 V | 20 V | 120 A | 469 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGW8M120DF3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 1200 V | 1.85 V | 20 V | 16 A | 167 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWA15H120DF2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 1200 V | 2.5 V | 20 V | 30 A | 259 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWA15H120F2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 1200 V | 2.5 V | 20 V | 30 A | 259 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWA15M120DF3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 1200 V | 1.85 V | 20 V | 30 A | 283 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWA15S120DF3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 1200 V | 1.55 V | 20 V | 30 A | 259 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWA19NC60HD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 1.8 V | 20 V | 52 A | 208 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWA20M65DF2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.55 V | 20 V | 40 A | 166 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWA25H120DF2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 1200 V | 2.5 V | 20 V | 50 A | 375 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWA25H120F2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 1200 V | 2.5 V | 20 V | 50 A | 375 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWA25S120DF3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 1200 V | 1.6 V | 20 V | 50 A | 375 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWA30H65FB: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.55 V | 20 V | 60 A | 260 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWA30M65DF2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | ||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWA40H120DF2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 1200 V | 2.5 V | 20 V | 80 A | 468 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWA40H120F2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 1200 V | 2.5 V | 20 V | 80 A | 468 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWA40H60DLFB: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 600 V | 1.6 V | 2 V | - | 283 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWA40H65DFB: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.6 V | 20 V | 80 A | 283 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Insulated-gate bipolar transistor-STGWA40H65DFB2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | 650 V | 1.55 V | 20 V | 72 A | 230 W |
