Фильтры
Manufacturer
Transistor Polarity
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
Gate-Source Cut-off Voltage
Drain-Source Current at Vgs=0
Id - Continuous Drain Current
Maximum Drain Gate Voltage
Pd - Power Dissipation
Rds On - Drain-Source Resistance
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Operating Temperature Range
Unit Weight
Configuration
Forward Transconductance - Min
Mounting Style
Technology
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

JFET

Manufacturer
Transistor Polarity
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
Gate-Source Cut-off Voltage
Drain-Source Current at Vgs=0
Id - Continuous Drain Current
Maximum Drain Gate Voltage
Pd - Power Dissipation
Rds On - Drain-Source Resistance
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Operating Temperature Range
Unit Weight
Configuration
Forward Transconductance - Min
Mounting Style
Technology
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Цена Manufacturer Transistor Polarity Vds - Drain-Source Breakdown Voltage Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage Gate-Source Cut-off Voltage Drain-Source Current at Vgs=0 Id - Continuous Drain Current Maximum Drain Gate Voltage Pd - Power Dissipation Rds On - Drain-Source Resistance Minimum Operating Temperature Maximum Operating Temperature Operating Temperature Range Unit Weight Configuration Forward Transconductance - Min Mounting Style Technology
поиск предложений
NXP N-Channel 25 V - 25 V - 4 V 10 mA 30 mA - 25 V 250 mW 50 Ohms - 65 C + 150 C 8 mg Single 10 mS SMD/SMT Si
поиск предложений
поиск предложений
Central Semiconductor N-Channel 40 V 40 V 10 V 30 mA 40 V 625 mW 30 Ohms - 65 C + 150 C Single Through Hole Si
поиск предложений
Central Semiconductor N-Channel 40 V 40 V 7 V 15 mA 40 V 625 mW 50 Ohms - 65 C + 150 C Single Through Hole Si
поиск предложений
Central Semiconductor N-Channel 40 V 40 V 5 V 8 mA 40 V 625 mW 80 Ohms - 65 C + 150 C Single Through Hole Si
поиск предложений
Central Semiconductor N-Channel 40 V 40 V 5 V 8 mA 40 V 625 mW 80 Ohms - 65 C + 150 C Single Through Hole Si
поиск предложений
InterFET N-Channel 10 V 40 V 1.8 V 0.09 mA 300 mW 453,600 mg Single 210 uS Through Hole Si
поиск предложений
InterFET N-Channel 453,600 mg Si
поиск предложений
InterFET N-Channel 10 V 40 V 1.8 V 0.09 mA 300 mW 453,600 mg Single 210 uS Through Hole Si
поиск предложений
InterFET N-Channel 453,600 mg Si
поиск предложений
InterFET N-Channel - 50 V 300 mW Single Si
поиск предложений
поиск предложений
Central Semiconductor N-Channel 40 V 10 V 150 mA 40 V 625 mW 30 Ohms - 65 C + 150 C Single Through Hole Si
поиск предложений
Central Semiconductor N-Channel 40 V 10 V 150 mA 40 V 625 mW 30 Ohms - 65 C + 150 C Single Through Hole Si
поиск предложений
Central Semiconductor N-Channel 635,778 mg Si
поиск предложений
Central Semiconductor N-Channel 40 V 10 V 150 mA 40 V 625 mW 30 Ohms - 65 C + 150 C Single Through Hole Si
поиск предложений
Central Semiconductor N-Channel Si
поиск предложений
поиск предложений
Central Semiconductor N-Channel 398,657 mg Si
поиск предложений
поиск предложений
Central Semiconductor N-Channel 200 mg Si
поиск предложений
Central Semiconductor N-Channel 40 V 5 V 75 mA 40 V 625 mW 60 Ohms - 65 C + 150 C Single Through Hole Si
поиск предложений
Central Semiconductor N-Channel 40 V 5 V 75 mA 40 V 625 mW 60 Ohms - 65 C + 150 C Single Through Hole Si
поиск предложений
Central Semiconductor N-Channel 40 V 5 V 75 mA 40 V 625 mW 60 Ohms - 65 C + 150 C Single Through Hole Si
поиск предложений
Central Semiconductor N-Channel 40 V 3 V 30 mA 40 V 625 mW 100 Ohms - 65 C + 150 C Single Through Hole Si
...1415161718...