История:
5M40ZE64I5N
BTB10-600BWRG
Z0103NN5AA4
48-M1000-3
APTGT100A120TG
FGH60N60SFTU
CST29/19/7.5-4S2
KWant250-1C24SDP
TD320N16SOFHPSA1
AUIRGF66524D0
IXGH30N120C3H1
Z0103MN 5AA4
ZV4M0805101NIR1
5M160ZM100C5N
FF1000R17IE4
QJ8040KH7TP
AC0603FR-07121RL
ROD6/25-3C90
DGH95-01P-41
APTGT25X120T3G
FF1000R17IE4D_B2
RM4/I-3C96
F3L150R12W2H3_B11
BCR 142 E6327
DG16R-B-02P
STGW40NC60KD
AT90PWM316-16MUR
0W888-002-XTP
K1500E70
ROD8/100-3C90
BCR 183 E6433
AC0603FR-07150RL
Q6040PH5-E
ROD8/50-3C90
AC0603FR-07102RL
TIG074E8-TL-H
FF200R17KE3_S4
AC0603FR-0718R2L
DCW12W8-05
BTB16-600BWRG
AC0603FR-07274RL
RM14/I-3F4
KWant250-1C05SDP
STGIPQ5C60T-HZ
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Product
IGBT Silicon Carbide Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.15 V
Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
5 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPQ5C60T-HZ: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль STGIPQ5C60T-HZ в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by