История:
STGF6M65DF2
S16B-SMH-1L.M-2M32-PC
Bipolar Transistors - BJT
| Товар | Количество | Цена | Описание | Maximum Operating Temperature | Manufacturer | Package/Case | Transistor Polarity | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector- Base Voltage VCBO | Emitter- Base Voltage VEBO | Collector-Emitter Saturation Voltage | Gain Bandwidth Product fT | Pd - Power Dissipation | Minimum Operating Temperature | Brand | Configuration | Continuous Collector Current | DC Collector/Base Gain hFE Min | DC Current Gain hFE Max | Factory Pack Quantity | Height | Length | Maximum DC Collector Current | Mounting Style | Packaging | Product Category | Product Type | Qualification | RoHS | Series | Subcategory | Technology | Unit Weight | Width | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
ZTX796A Биполярный транзистор - ZTX796AБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by…
Подробнее
|
+ 150 C | Diodes Incorporated | TO-92-3 | PNP | - 200 V | - 200 V | - 5 V | - 0.3 V | 100 MHz | 1 W | - 55 C | |||||||||||||||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Биполярный транзистор ZTX796A Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZTX796A…
Подробнее
|
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
ZTX849 Биполярный транзистор - ZTX849Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by…
Подробнее
|
+ 150 C | Diodes Incorporated | TO-92-3 | NPN | 30 V | 80 V | 6 V | 180 mV | 100 MHz | 1.2 W | - 55 C | |||||||||||||||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Биполярный транзистор ZTX849 Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZTX849 Diodes…
Подробнее
|
+ 150 C | Diodes Incorporated | TO-92-3 | NPN | 30 V | 80 V | 6 V | 180 mV | 100 MHz | 1.2 W | - 55 C | Diodes Incorporated | Single | 5 A | 4000 | 4.01 mm | 4.77 mm | 5 A | Through Hole | Bulk | Bipolar Transistors - BJT | BJTs - Bipolar Transistors | Details | ZTX849 | Transistors | Si | 453,600 mg | 2.41 mm | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
ZTX849STZ Биполярный транзистор - ZTX849STZБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог…
Подробнее
|
+ 150 C | Diodes Incorporated | TO-92-3 | NPN | 30 V | 80 V | 6 V | 180 mV | 100 MHz | 1.2 W | - 55 C | |||||||||||||||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
ZTX851 Биполярный транзистор - ZTX851Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by…
Подробнее
|
+ 150 C | Diodes Incorporated | TO-92-3 | NPN | 60 V | 150 V | 6 V | 180 mV | 130 MHz | 1.2 W | - 55 C | |||||||||||||||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Биполярный транзистор ZTX851 Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZTX851 Diodes…
Подробнее
|
+ 150 C | Diodes Incorporated | TO-92-3 | NPN | 60 V | 150 V | 6 V | 180 mV | 130 MHz | 1.2 W | - 55 C | Diodes Incorporated | Single | 5 A | 4000 | 4.01 mm | 4.77 mm | 5 A | Through Hole | Bulk | Bipolar Transistors - BJT | BJTs - Bipolar Transistors | Details | ZTX851 | Transistors | Si | 453,600 mg | 2.41 mm | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
ZTX851STZ Биполярный транзистор - ZTX851STZБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог…
Подробнее
|
+ 150 C | Diodes Incorporated | TO-92-3 | NPN | 60 V | 150 V | 6 V | 250 mV | 130 MHz | 1.2 W | - 55 C | |||||||||||||||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
ZTX853 Биполярный транзистор - ZTX853Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by…
Подробнее
|
+ 150 C | Diodes Incorporated | TO-92-3 | NPN | 100 V | 200 V | 6 V | 160 mV | 130 MHz | 1.2 W | - 55 C | |||||||||||||||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Биполярный транзистор ZTX853 Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZTX853 Diodes…
Подробнее
|
+ 150 C | Diodes Incorporated | TO-92-3 | NPN | 100 V | 200 V | 6 V | 160 mV | 130 MHz | 1.2 W | - 55 C | Diodes Incorporated | Single | 4 A | 4000 | 4.01 mm | 4.77 mm | 4 A | Through Hole | Bulk | Bipolar Transistors - BJT | BJTs - Bipolar Transistors | Details | ZTX853 | Transistors | Si | 453,600 mg | 2.41 mm | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Биполярный транзистор ZTX853QSTZ Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZTX853QSTZ…
Подробнее
|
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
ZTX855 Биполярный транзистор - ZTX855Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by…
Подробнее
|
+ 150 C | Diodes Incorporated | TO-92-3 | NPN | 150 V | 250 V | 6 V | 210 mV | 90 MHz | 1.2 W | - 55 C | |||||||||||||||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Биполярный транзистор ZTX855 Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZTX855 Diodes…
Подробнее
|
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
ZTX855STZ Биполярный транзистор - ZTX855STZБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог…
Подробнее
|
+ 150 C | Diodes Incorporated | TO-92-3 | NPN | 150 V | 250 V | 6 V | 210 mV | 90 MHz | 1.2 W | - 55 C | |||||||||||||||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
ZTX857 Биполярный транзистор - ZTX857Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by…
Подробнее
|
+ 150 C | Diodes Incorporated | TO-92-3 | NPN | 300 V | 330 V | 6 V | 80 MHz | 1.2 W | - 55 C | ||||||||||||||||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Биполярный транзистор ZTX857QSTZ Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZTX857QSTZ…
Подробнее
|
Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | 4000 | Bipolar Transistors - BJT | BJTs - Bipolar Transistors | Transistors | ||||||||||||||||||||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
ZTX857STZ Биполярный транзистор - ZTX857STZБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог…
Подробнее
|
+ 150 C | Diodes Incorporated | TO-92-3 | NPN | 300 V | 330 V | 6 V | 80 MHz | 1.2 W | - 55 C | ||||||||||||||||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
ZTX869 Биполярный транзистор - ZTX869Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by…
Подробнее
|
+ 200 C | Diodes Incorporated | TO-92-3 | NPN | 25 V | 60 V | 6 V | 180 mV | 100 MHz | 1.2 W | - 55 C | |||||||||||||||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Биполярный транзистор ZTX869 Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZTX869 Diodes…
Подробнее
|
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Биполярный транзистор ZTX948 Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZTX948 Diodes…
Подробнее
|
+ 200 C | Diodes Incorporated | TO-92-3 | PNP | - 20 V | - 40 V | - 6 V | - 180 mV | 80 MHz | 1.2 W | - 55 C | Diodes Incorporated | Single | - 4.5 A | 4000 | 4.01 mm | 4.77 mm | - 4.5 A | Through Hole | Bulk | Bipolar Transistors - BJT | BJTs - Bipolar Transistors | Details | ZTX9 | Transistors | Si | 453,600 mg | 2.41 mm | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
ZTX949 Биполярный транзистор - ZTX949Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by…
Подробнее
|
+ 150 C | Diodes Incorporated | TO-92-3 | PNP | 30 V | - 50 V | - 6 V | 100 MHz | 1.2 W | - 55 C | ||||||||||||||||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
ZTX949STZ Биполярный транзистор - ZTX949STZБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог…
Подробнее
|
+ 150 C | Diodes Incorporated | TO-92-3 | PNP | 30 V | - 50 V | - 6 V | 100 MHz | 1.2 W | - 55 C | ||||||||||||||||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
ZTX951 Биполярный транзистор - ZTX951Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by…
Подробнее
|
+ 150 C | Diodes Incorporated | TO-92-3 | PNP | 60 V | - 100 V | - 6 V | 120 MHz | 1.2 W | - 55 C | ||||||||||||||||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Биполярный транзистор ZTX951 Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZTX951 Diodes…
Подробнее
|
+ 150 C | Diodes Incorporated | TO-92-3 | PNP | 60 V | - 100 V | - 6 V | 120 MHz | 1.2 W | - 55 C | Diodes Incorporated | Single | - 4 A | 4000 | 4.01 mm | 4.77 mm | 4 A | Through Hole | Bulk | Bipolar Transistors - BJT | BJTs - Bipolar Transistors | Details | ZTX951 | Transistors | Si | 450 mg | 2.41 mm | |||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
ZTX953 Биполярный транзистор - ZTX953Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by…
Подробнее
|
+ 150 C | Diodes Incorporated | TO-92-3 | PNP | 100 V | - 140 V | - 6 V | 125 MHz | 1.2 W | - 55 C |
