Фильтры
Manufacturer
Transistor Polarity
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
Gate-Source Cut-off Voltage
Drain-Source Current at Vgs=0
Id - Continuous Drain Current
Maximum Drain Gate Voltage
Pd - Power Dissipation
Rds On - Drain-Source Resistance
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Operating Temperature Range
Unit Weight
Configuration
Forward Transconductance - Min
Mounting Style
Technology
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

JFET

Manufacturer
Transistor Polarity
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
Gate-Source Cut-off Voltage
Drain-Source Current at Vgs=0
Id - Continuous Drain Current
Maximum Drain Gate Voltage
Pd - Power Dissipation
Rds On - Drain-Source Resistance
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Operating Temperature Range
Unit Weight
Configuration
Forward Transconductance - Min
Mounting Style
Technology
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Цена Manufacturer Transistor Polarity Vds - Drain-Source Breakdown Voltage Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage Gate-Source Cut-off Voltage Drain-Source Current at Vgs=0 Id - Continuous Drain Current Maximum Drain Gate Voltage Pd - Power Dissipation Rds On - Drain-Source Resistance Minimum Operating Temperature Maximum Operating Temperature Operating Temperature Range Unit Weight Configuration Forward Transconductance - Min Mounting Style Technology
поиск предложений
InterFET P-Channel - 10 V - 30 V 4 V - 4.5 mA 5 mA 300 mW 4 g Single 1 mS Through Hole Si
поиск предложений
Microchip P-Channel 30 V 0.75 V to 6 V - 1 mA to - 5 mA 300 mW - 65 C + 200 C 3,698 g Single Through Hole Si
поиск предложений
InterFET P-Channel - 10 V - 30 V 4 V - 10 mA 5 mA 300 mW 1,204 g Single 25 mS Through Hole Si
поиск предложений
InterFET Si
поиск предложений
Central Semiconductor N-Channel Si
поиск предложений
Central Semiconductor N-Channel Si
поиск предложений
Central Semiconductor N-Channel Si
поиск предложений
Central Semiconductor N-Channel Si
поиск предложений
InterFET N-Channel 15 V - 50 V - 4 V 2.5 mA 400 uA 300 mW 1,430 g Single 1500 uS Through Hole Si
поиск предложений
поиск предложений
InterFET N-Channel - 50 V - 6 V 10 mA 300 mW Single 3000 uS Through Hole Si
поиск предложений
поиск предложений
Microchip N-Channel 30 V 30 V 8 V 20 mA 30 V 300 mW - 55 C + 200 C - 55 C to + 200 C 1,192 g Single Through Hole Si
поиск предложений
InterFET N-Channel - 50 V 300 mW 250 Ohms Single Through Hole Si
поиск предложений
InterFET N-Channel 20 V - 50 V - 4.5 V 5 mA 200 uA 250 mW 8,025 g Dual 1000 uS Through Hole Si
поиск предложений
InterFET N-Channel 20 V - 50 V - 4.5 V 5 mA 200 uA 250 mW 3,596 g Dual 1000 uS Through Hole Si
поиск предложений
InterFET N-Channel 25 V Si
поиск предложений
поиск предложений
InterFET P-Channel 25 V 5.5 V - 2 mA 300 mW 300 Ohms Single Through Hole Si
поиск предложений
InterFET N-Channel 10 V - 40 V - 10 V 30 mA 5 mA 300 mW 30 Ohms 433,485 mg Single Through Hole Si
поиск предложений
Microchip Through Hole Si
поиск предложений
Microchip N-Channel 40 V - 40 V 30 mA 10 mA 0.2 V 0.36 W 30 Ohms - 65 C + 175 C Single Through Hole Si
поиск предложений
Microchip Through Hole Si
поиск предложений
поиск предложений
Microchip Through Hole Si
12345...