Фильтры
Manufacturer
Transistor Polarity
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
Gate-Source Cut-off Voltage
Drain-Source Current at Vgs=0
Id - Continuous Drain Current
Maximum Drain Gate Voltage
Pd - Power Dissipation
Rds On - Drain-Source Resistance
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Operating Temperature Range
Unit Weight
Configuration
Forward Transconductance - Min
Mounting Style
Technology
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

JFET

Manufacturer
Transistor Polarity
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
Gate-Source Cut-off Voltage
Drain-Source Current at Vgs=0
Id - Continuous Drain Current
Maximum Drain Gate Voltage
Pd - Power Dissipation
Rds On - Drain-Source Resistance
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Operating Temperature Range
Unit Weight
Configuration
Forward Transconductance - Min
Mounting Style
Technology
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Цена Manufacturer Transistor Polarity Vds - Drain-Source Breakdown Voltage Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage Gate-Source Cut-off Voltage Drain-Source Current at Vgs=0 Id - Continuous Drain Current Maximum Drain Gate Voltage Pd - Power Dissipation Rds On - Drain-Source Resistance Minimum Operating Temperature Maximum Operating Temperature Operating Temperature Range Unit Weight Configuration Forward Transconductance - Min Mounting Style Technology
поиск предложений
Central Semiconductor N-Channel 312,400 mg Si
поиск предложений
Microchip Through Hole Si
поиск предложений
поиск предложений
Central Semiconductor N-Channel Si
поиск предложений
поиск предложений
InterFET N-Channel - 40 V - 4 V 1.8 W 60 Ohms Single Through Hole Si
поиск предложений
Microchip Through Hole Si
поиск предложений
InterFET N-Channel 15 V - 30 V - 10 V 50 mA 500 pA 1.8 W 25 Ohms Single Through Hole Si
поиск предложений
Microchip Through Hole Si
поиск предложений
InterFET N-Channel 15 V - 30 V - 10 V 50 mA 500 pA 1.8 W 25 Ohms Single Through Hole Si
поиск предложений
Central Semiconductor N-Channel Si
поиск предложений
Microchip Through Hole Si
поиск предложений
InterFET N-Channel - 40 V - 6 V 100 mA 1.8 W 40 Ohms Single Through Hole Si
поиск предложений
Microchip Through Hole Si
поиск предложений
InterFET N-Channel 15 V - 30 V - 6 V 100 mA 500 pA 1.8 W 40 Ohms Single Through Hole Si
поиск предложений
Microchip Through Hole Si
поиск предложений
InterFET N-Channel 15 V - 30 V - 4 V 80 mA 500 pA 1.8 W 60 Ohms 875,650 mg Single Through Hole Si
поиск предложений
поиск предложений
InterFET N-Channel 20 V - 40 V - 2 V 1.2 mA 1 uA 300 mW Single 700 uS Through Hole Si
поиск предложений
InterFET N-Channel 20 V - 40 V - 2 V 1.2 mA 1 uA 300 mW Single 700 uS Through Hole Si
поиск предложений
InterFET N-Channel 20 V - 40 V - 3 V 3 mA 1 uA 300 mW Single 1000 uS Through Hole Si
поиск предложений
InterFET N-Channel - 40 V - 3 V 3 mA 300 mW Single 1000 uS Through Hole Si
поиск предложений
InterFET N-Channel - 40 V - 5 V 7.5 mA 300 mW Single 1300 uS Through Hole Si
поиск предложений
InterFET N-Channel - 40 V - 5 V 7.5 mA 300 mW Single 1300 uS Through Hole Si
поиск предложений
InterFET P-Channel - 15 V 25 V 1.5 V - 1.2 mA 1 nA 500 mW (1/2 W) Single 1 mS Through Hole Si
...23456...