Фильтры
Manufacturer
Transistor Polarity
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
Gate-Source Cut-off Voltage
Drain-Source Current at Vgs=0
Id - Continuous Drain Current
Maximum Drain Gate Voltage
Pd - Power Dissipation
Rds On - Drain-Source Resistance
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Operating Temperature Range
Unit Weight
Configuration
Forward Transconductance - Min
Mounting Style
Technology
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

JFET

Manufacturer
Transistor Polarity
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
Gate-Source Cut-off Voltage
Drain-Source Current at Vgs=0
Id - Continuous Drain Current
Maximum Drain Gate Voltage
Pd - Power Dissipation
Rds On - Drain-Source Resistance
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Operating Temperature Range
Unit Weight
Configuration
Forward Transconductance - Min
Mounting Style
Technology
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Цена Manufacturer Transistor Polarity Vds - Drain-Source Breakdown Voltage Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage Gate-Source Cut-off Voltage Drain-Source Current at Vgs=0 Id - Continuous Drain Current Maximum Drain Gate Voltage Pd - Power Dissipation Rds On - Drain-Source Resistance Minimum Operating Temperature Maximum Operating Temperature Operating Temperature Range Unit Weight Configuration Forward Transconductance - Min Mounting Style Technology
поиск предложений
InterFET N-Channel 30 V - 300 V - 15 V 10 mA 4 nA 800 mW Single 0.5 mS Through Hole Si
поиск предложений
InterFET N-Channel - 200 V - 15 V 800 mW Single Through Hole Si
поиск предложений
InterFET N-Channel - 25 V - 3.5 V 10 mA 360 mW Single Through Hole Si
поиск предложений
InterFET N-Channel 10 V - 20 V - 5 V 50 mA 500 pA 360 mW 1,430 g Single 20 mS Through Hole Si
поиск предложений
InterFET N-Channel - 25 V - 5 V 10 mA 360 mW Single Through Hole Si
поиск предложений
InterFET N-Channel 10 V - 20 V - 3 V 100 mA 100 uA 400 mW 1 g Single 25 mS Through Hole Si
поиск предложений
Toshiba N-Channel Si
поиск предложений
поиск предложений
Toshiba N-Channel 10 V - 30 V - 5 V 0.3 mA 6.5 mA 100 mW 8 mg Single SMD/SMT Si
поиск предложений
Toshiba N-Channel 10 V - 30 V - 5 V 1.2 mA 6.5 mA 100 mW 8 mg Single SMD/SMT Si
поиск предложений
Toshiba N-Channel 14 mA 150 mW - 55 C + 125 C 12 mg Single SMD/SMT Si
поиск предложений
Toshiba N-Channel - 1.5 V 14 mA - 50 V 150 mW 12 mg Single SMD/SMT Si
поиск предложений
Toshiba N-Channel - 1.5 V 14 mA - 50 V 300 mW 33 mg Dual SMD/SMT Si
поиск предложений
Toshiba N-Channel 10 V - 30 V - 1.5 V 2.6 mA 14 mA 300 mW 16 mg Dual SMD/SMT Si
поиск предложений
Toshiba N-Channel 10 V - 30 V - 1.5 V 1.2 mA 14 mA 300 mW 16 mg Dual SMD/SMT Si
поиск предложений
ON Semiconductor N-Channel 11,600 mg Si
поиск предложений
ON Semiconductor N-Channel 11,650 mg Si
поиск предложений
Toshiba N-Channel 10 V - 30 V - 1.5 V 6 mA 14 mA 200 mW 6,200 mg Dual SMD/SMT Si
поиск предложений
ON Semiconductor N-Channel 15 V - 15 V - 1 nA 50 mA 50 mA 200 mW - 55 C + 150 C 8 mg 24 mS SMD/SMT Si
поиск предложений
ON Semiconductor N-Channel 30 V 1.5 mA 200 mW 200 Ohms - 55 C + 150 C 8 mg Single SMD/SMT Si
поиск предложений
ON Semiconductor N-Channel 30 V - 30 V - 1 nA 3 mA 10 mA 200 mW 200 Ohms + 150 C 8 mg Single 3 ms SMD/SMT Si
поиск предложений
поиск предложений
поиск предложений
поиск предложений
...45678...