Фильтры
Manufacturer
Transistor Polarity
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
Gate-Source Cut-off Voltage
Drain-Source Current at Vgs=0
Id - Continuous Drain Current
Maximum Drain Gate Voltage
Pd - Power Dissipation
Rds On - Drain-Source Resistance
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Operating Temperature Range
Unit Weight
Configuration
Forward Transconductance - Min
Mounting Style
Technology
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

JFET

Manufacturer
Transistor Polarity
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
Gate-Source Cut-off Voltage
Drain-Source Current at Vgs=0
Id - Continuous Drain Current
Maximum Drain Gate Voltage
Pd - Power Dissipation
Rds On - Drain-Source Resistance
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Operating Temperature Range
Unit Weight
Configuration
Forward Transconductance - Min
Mounting Style
Technology
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Цена Manufacturer Transistor Polarity Vds - Drain-Source Breakdown Voltage Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage Gate-Source Cut-off Voltage Drain-Source Current at Vgs=0 Id - Continuous Drain Current Maximum Drain Gate Voltage Pd - Power Dissipation Rds On - Drain-Source Resistance Minimum Operating Temperature Maximum Operating Temperature Operating Temperature Range Unit Weight Configuration Forward Transconductance - Min Mounting Style Technology
поиск предложений
InterFET P-Channel 25 V 2.5 V - 3.5 mA 500 mW Single 1.5 mS Through Hole Si
поиск предложений
InterFET P-Channel - 15 V 30 V 10 V - 90 mA - 15 mA 500 mW (1/2 W) 75 Ohms 1 g Single Through Hole Si
поиск предложений
поиск предложений
InterFET P-Channel - 15 V 30 V 6 V - 60 mA - 15 mA 500 mW (1/2 W) 100 Ohms Single Through Hole Si
поиск предложений
Microchip Through Hole Si
поиск предложений
поиск предложений
поиск предложений
Central Semiconductor P-Channel 312,400 mg Si
поиск предложений
InterFET P-Channel - 15 V 30 V 4 V - 25 mA - 15 mA 500 mW (1/2 W) 150 Ohms Single Through Hole Si
поиск предложений
InterFET N-Channel - 25 V - 6 V 10 mA 300 mW 10,117 g Single Through Hole Si
поиск предложений
InterFET N-Channel - 25 V - 6 V 10 mA 300 mW Single 5.5 mS Through Hole Si
поиск предложений
Central Semiconductor N-Channel 206 mg Si
поиск предложений
Central Semiconductor N-Channel 453,600 mg Si
поиск предложений
поиск предложений
Central Semiconductor N-Channel Si
поиск предложений
Central Semiconductor P-Channel 206 mg Si
поиск предложений
Central Semiconductor P-Channel 4 V 10 mA 40 V 310 mW - 65 C + 150 C Through Hole Si
поиск предложений
поиск предложений
Central Semiconductor N-Channel 25 V 6 V 20 mA 30 mA 25 V 310 mW - 65 C + 150 C Single Through Hole Si
поиск предложений
Central Semiconductor N-Channel 206 mg Si
поиск предложений
Central Semiconductor N-Channel 25 V 6 V 20 mA 30 mA 25 V 310 mW - 65 C + 150 C Single Through Hole Si
поиск предложений
Central Semiconductor N-Channel 25 V 6 V 20 mA 30 mA 25 V 310 mW - 65 C + 150 C Single Through Hole Si
поиск предложений
Central Semiconductor N-Channel 25 V 6 V 20 mA 30 mA 25 V 310 mW - 65 C + 150 C Single Through Hole Si
поиск предложений
InterFET N-Channel - 50 V Dual Si
поиск предложений
InterFET N-Channel 10 V 25 V 5 V 40 mA 500 mW (1/2 W) Single 5000 uS Through Hole Si
...34567...